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电子元器件详细资料 » IC[27386] » SI2321DS-T1-GE3
型号:SI2321DS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V SOT-23
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C57 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222900mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs13nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds715pF @ 6V
功率_最大710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市哲瀚电子科技有限公司柯小姐086-0755-83259945
深圳市成源运利电子科技有限公司林086-0755-15913992480
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
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SI2321DS-T1-GE3相关型号

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